Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxide–semiconductor devices

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标题	Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxide–semiconductor devices
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/25/9/097101
DOI	10.1088/1674-1056/25/9/097101 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Yifan Jia; Hongliang Lv; Yingxi Niu; Ling Li; Qingwen Song; et al 出版日期：2016-08-30
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