Effect of in-situ ozone annealing on top-gate atomic layer deposited InZnOx channel thin-film transistors on various underlying dielectric layers

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标题	Effect of in-situ ozone annealing on top-gate atomic layer deposited InZnOx channel thin-film transistors on various underlying dielectric layers
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110176
DOI	10.1016/j.mssp.2025.110176 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Guan-Han Lin; Yixiao Li; Yu Chen; Henglong Yang; Chien-Wei Chen; et al 出版日期：2025-10-24
求助人	赫尔坤兰在 2026-08-18 11:24:57 发布自福建，悬赏 10 积分
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