Epitaxial growth of highly stacked SiGe(:B)/Si multilayers without strain relaxation for vertically stacked device applications

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标题	Epitaxial growth of highly stacked SiGe(:B)/Si multilayers without strain relaxation for vertically stacked device applications
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.mattod.2025.12.030
DOI	10.1016/j.mattod.2025.12.030 doi
求助人	阿nice 在 2026-07-16 10:16:29 发布自安徽，悬赏 10 积分
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