Study of the electrostatic potential of the floating-p region during the turn-on period of IGBT

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标题	Study of the electrostatic potential of the floating-p region during the turn-on period of IGBT
网址	https://doi.org/10.23919/ISPSD.2017.7988942
DOI	10.23919/ISPSD.2017.7988942 doi
其它	期刊：2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD) 作者：Yoshihiro Ikura; Yuichi Onozawa; Akio Nakagawa 出版日期：2017
求助人	尔刀在 2026-05-27 14:08:39 发布自江苏，悬赏 10 积分
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