Temperature impact on device characteristics of charge plasma based tunnel FET with Si0.5Ge0.5 source

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标题	Temperature impact on device characteristics of charge plasma based tunnel FET with Si0.5Ge0.5 source
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2631-8695/ac310e
DOI	10.1088/2631-8695/ac310e doi
其它	期刊：Engineering Research Express 作者：Varun Mishra; Yogesh Kumar Verma; Lucky Agarwal; Santosh Kumar Gupta 出版日期：2021-10-20
求助人	哈哈在 2026-04-22 11:53:59 发布自湖南，悬赏 10 积分
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