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 Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs 相关领域
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
随时间变化的栅氧化层击穿
栅氧化层
泄漏（经济）
量子隧道
电容
辐照
深能级瞬态光谱
金属浇口
热传导
逻辑门
辐射
栅极电介质
电压
γ辐照
光谱学
阈值电压
和大门
普尔-弗伦克尔效应
瞬态（计算机编程）
反向漏电流
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Danmei Lin; Xuefeng Zheng; Shaozhong Yue; Xiaohu Wang; Hao Zhang; et al 出版日期：2025-09-15 |
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(2025-6-4)
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