| 标题 |
 4H-SiC/6H-SiC interface structures studied by high-resolution transmission electron microscopy 高分辨透射电子显微镜研究4H-SiC/6H-SiC界面结构
相关领域
材料科学
单晶硅
碳化硅
透射电子显微镜
堆积
兴奋剂
异质结
高分辨率透射电子显微镜
硅
结晶学
电子显微镜
宽禁带半导体
光电子学
纳米技术
复合材料
光学
化学
物理
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hiroshi Iwasaki; Shinji Inoue; Tatsuo Yoshinobu; Masayoshi Tarutani; Yoshizo Takai; et al 出版日期：1993-11-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
bc
shimhjy
爱静静
平常的毛豆
斯寜
剑指东方是为谁
诸葛御风
可千万不要躺平呀
期待未来的自己
余味
back you up
故酒
鼠小姐
YifanWang
言非离
夜白
jyy
Li
SYLH
皖公网安备34019202002308
