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 Near-Ideal Subthreshold Swing in InAlN/GaN Schottky Gate High Electron Mobility Transistor Using Carbon-Doped GaN Buffer 使用碳掺杂GaN缓冲器的InAlN/GaN肖特基栅极高电子迁移率晶体管的近理想亚阈值摆幅
相关领域
材料科学
光电子学
兴奋剂
电子迁移率
晶体管
高电子迁移率晶体管
阈下传导
电气工程
电压
工程类
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Sujan Sarkar; Ramdas P. Khade; Ajay Shanbhag; Nandita DasGupta; Amitava DasGupta 出版日期：2022-06-15 |
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