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标题
Effects of Transitional Layer of Gate Insulator on Recombination DC Current–Voltage Lineshape in Metal–Oxide–Semiconductor Transistors
栅绝缘体过渡层对金属氧化物半导体晶体管复合直流电压线形的影响
相关领域
材料科学 光电子学 制作 晶体管 绝缘体（电） 电介质 半导体 工程物理 栅极电介质 电压 电气工程 工程类 病理 替代医学 医学
网址
https://doi.org/10.1143/jjap.48.091403
DOI
10.1143/jjap.48.091403 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Zuhui Chen; Xing Zhou; Guojun Zhu
出版日期：2009-09-24
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淡定的一手 在 2025-12-04 17:16:14 发布自陕西，悬赏 10 积分
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