| 标题 |
 20.2 GHz‐µmfT–LGin InAlN/GaN‐on‐Si High Electron Mobility Transistors 20.2 GHz-µMFT-LGIN InAlN/GaN-on-Si高电子迁移率晶体管
相关领域
跨导
晶体管
截止频率
限制
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
电子迁移率
电子
电气工程
物理
电压
量子力学
机械工程
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：physica status solidi (a) 作者：Sai Charan Vanjari; R. Muralidharan; Srinivasan Raghavan; Digbijoy N. Nath 出版日期：2022-07-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
学术文献互助
愉快的真
OK
叶上初阳
大力的冬萱
Nole
机智的白卉
wang
Farson
Oracle
初景
蕃茄鱼
zhaiyiying
Criminology34
lieaait
咖啡豆
cdercder
Spike
皖公网安备34019202002308
