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标题
[高分] A Dual-directional SCR based ESD Protection Design with High Holding Voltage using Embedded MOSFET for 12-V Applications
基于双向可控硅的高保持电压ESD保护设计，采用嵌入式MOSFET，适用于12V应用
相关领域
MOSFET 对偶（语法数字） 电气工程 静电放电 电压 晶闸管 电子工程 材料科学 工程类 晶体管 文学类 艺术
网址
https://doi.org/10.5573/jsts.2024.24.5.399
DOI
10.5573/jsts.2024.24.5.399 doi
其它 期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science
作者：Kyoung-Il Do; Jin‐Woo Jung; Hee-Guk Chae; Jooyoung Song; Chan-Hee Jeon; et al
出版日期：2024-10-31
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赘婿 在 2025-12-09 17:17:34 发布自河北，悬赏 150 积分
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