| 标题 |
 A FinFET Based Low-Power Write Enhanced SRAM Cell With Improved Stability 具有改进稳定性的基于FinFET的低功耗写入增强型SRAM单元
相关领域
静态随机存取存储器
理论（学习稳定性）
功率（物理）
超低功耗
计算机科学
电子工程
电气工程
工程类
功率消耗
物理
量子力学
机器学习
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：AEU - International Journal of Electronics and Communications 作者：Atharv Sharma; Kulbhushan Sharma; V. K. Tomar; Ashish Sachdeva 出版日期：2024-10-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
22336
cdercder
Copyright
ale
ssfg
行走的荷尔蒙
帅气爆米花
huang
arniu2008
失眠溪灵
Nole
初景
柑橘乌云
OK
sagitar
yjh123
MozzieMiao
殷勤的紫槐
实验室
皖公网安备34019202002308
