| 标题 |
Electrical Characteristics of Gated Anode Diodes Based on Normally Off Recessed‐Gate GaN High‐Electron‐Mobility Transistors for Rectenna Applications 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
矩形天线
晶体管
二极管
阳极
整流器(神经网络)
阴极
电压
电气工程
整改
化学
电极
计算机科学
工程类
人工神经网络
随机神经网络
机器学习
循环神经网络
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者:H. Takahashi; Yuji Ando; Yoichi Tsuchiya; Akio Wakejima; Jun Suda 出版日期:2023-03-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)