First Demonstration of 2-floor GAA In2O3 Nanosheet FET Enabled by TiN Sacrificial Layers and Fluorine Passivation

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标题	First Demonstration of 2-floor GAA In2O3 Nanosheet FET Enabled by TiN Sacrificial Layers and Fluorine Passivation
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11074776/11074778/110750...
DOI	10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.11075080 doi
其它	期刊：2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Yu-Shan Wu; Yuan-Ming Liu; Hsien-Ming Sung; Rong-Wei Ma; Johannes Gracia; et al 出版日期：2025-07-19
求助人	敏玥在 2026-03-01 15:51:08 发布自北京，悬赏 10 积分
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