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  Thermally Conductive Buried Aluminum Nitride for Next Generation Silicon‐on‐Insulator 用于下一代绝缘体上硅的导热掩埋氮化铝
相关领域
材料科学
氮化硅
导电体
铝
氮化物
绝缘体（电）
光电子学
硅
工程物理
冶金
纳米技术
复合材料
工程类
图层（电子）
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Josef Stevanus Matondang; Nikhilendu Tiwary; Glenn Ross; Mervi Paulasto‐Kröckel 出版日期：2025-07-13 |
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