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![]() 具有片电荷密度模型的新型高压DMG Fe掺杂AlGaN/AlN/GaN HEMTs
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期刊:Microelectronics Journal 作者:E. Rajalakshmi; N. B. Balamurugan; M. Hemalatha; M. Suguna 出版日期:2024-06-05 |
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