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 Design and Investigation of a Novel Gate-All-Around Vertical Tunnel FET with Improved DC and Analog/RF Parameters 具有改进的直流和模拟/射频参数的新型全栅极垂直隧道场效应管的设计与研究
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Kadava R. N. Karthik; Chandan Kumar Pandey 出版日期：2022-11-01 |
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