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 Towards Understanding the Physics of Gate Switching Instability in Silicon Carbide MOSFETs 对碳化硅MOSFETs栅开关不稳定性物理学的认识
相关领域
材料科学
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碳化硅
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期刊： 作者：Maximilian W. Feil; Katja Waschneck; H. Reisinger; Judith Berens; Thomas Aichinger; et al 出版日期：2023-03-01 |
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