| 标题 |
PMOS Leakage Reduction Through Sige Morphology & IMP Profile Fine Tune 通过Sige形貌和IMP轮廓微调减少PMOS泄漏
相关领域
PMOS逻辑
光环
材料科学
泄漏(经济)
无定形固体
光电子学
形态学(生物学)
硅锗
硅
晶体管
电气工程
电压
工程类
化学
物理
遗传学
生物
经济
宏观经济学
有机化学
量子力学
银河系
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Wenzhao Fu; Bohan Jiang; Cong Lin; Ying Xu 出版日期:2024-03-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)