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标题
PMOS Leakage Reduction Through Sige Morphology & IMP Profile Fine Tune
通过Sige形貌和IMP轮廓微调减少PMOS泄漏
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PMOS逻辑 光环 材料科学 泄漏（经济） 无定形固体 光电子学 形态学（生物学） 硅锗 硅 晶体管 电气工程 电压 工程类 化学 物理 宏观经济学 经济 有机化学 银河系 生物 量子力学 遗传学
网址
https://doi.org/10.1109/cstic61820.2024.10532110
DOI
10.1109/cstic61820.2024.10532110 doi
其它 期刊：
作者：Wenzhao Fu; Bohan Jiang; Cong Lin; Ying Xu
出版日期：2024-03-17
求助人
徐一一 在 2025-10-11 09:08:51 发布自北京，悬赏 10 积分
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