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 Study on The Degradations Produced by Different P-base Diffusion Temperatures on SGT MOSFET With Approximate Threshold Voltage 近似阈值电压下SGT MOSFET不同P基扩散温度的降解研究
相关领域
电容
材料科学
MOSFET
蚀刻（微加工）
电气工程
扩散电容
光电子学
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电压
扩散
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数学
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期刊： 作者：Xinyu Li; Yunpeng Jia; Xintian Zhou; Yuanfu Zhao; Xingyu Fang; et al 出版日期：2021-10-22 |
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