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 p-GaAs/n-Ga2O3 heterojunction diode with breakdown voltage of ∼800 V 击穿电压约800V的p-GaAs/n-Ga2O3异质结二极管
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
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半导体
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Shuwen Xie; Moheb Sheikhi; Shining Xu; Md Tahmidul Alam; Jie Zhou; et al 出版日期：2024-02-13 |
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