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 Defect compensation-limited carrier tuning reveals sulfur vacancy tolerance and an n -type growth window in β-AgBiS 2 相关领域
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期刊：Journal of Materials Chemistry A 作者：Luping Shi; Abuduwayiti Aierken; Wenjun Xiao; Jinshun Bi; Ziqiang Xu; et al 出版日期：2026-01-01 |
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