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标题
Influence of AlN nucleation layer growth conditions on quality of GaN layers deposited on (0001) sapphire
相关领域
蓝宝石 成核 图层(电子) 材料科学 光电子学 质量(理念) 复合材料 化学 光学 物理 量子力学 有机化学 激光器
网址
DOI
10.1016/s0022-0248(02)00906-5 doi
其它 期刊:Journal of Crystal Growth
作者:Mario Gonsalves; Wook Kim; Vijay Narayanan; S. Mahajan
出版日期:2002-05-01
求助人
zzzz 在 2026-11-08 18:36:38 发布自山东,悬赏 10 积分
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