A new double-trench gate 4H-SiC LDMOS with heterojunction and buffer layer for improved single-event burnout tolerance

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标题	A new double-trench gate 4H-SiC LDMOS with heterojunction and buffer layer for improved single-event burnout tolerance
网址	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2025.106909
DOI	10.1016/j.mejo.2025.106909 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Liqun Wang; Panpan Tang; Tong Liu 出版日期：2025-09-27
求助人	小卢同学在 2026-11-06 23:47:28 发布自浙江，悬赏 10 积分
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