The Achievement of Pulse Laser Deposited Amorphous P-Type N-Doped Ga₂O₃ for Applying in Thin Film Transistor and Homojunction Diode

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标题	The Achievement of Pulse Laser Deposited Amorphous P-Type N-Doped Ga₂O₃ for Applying in Thin Film Transistor and Homojunction Diode
网址	https://doi.org/10.1109/tdmr.2025.3559225
DOI	10.1109/tdmr.2025.3559225 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Teng-Min Fan; Chen Wang; Cong Yi; Chenhao Zhou; Yu‐Li Su; et al 出版日期：2025-04-09
求助人	zhanhua li 在 2026-10-25 20:49:08 发布自广东，悬赏 10 积分
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