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100 nm Gate-Length N-Polar GaN/AlGaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistor on a Si Substrate via Thin-Layer Transfer Technique |
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期刊:Nanotechnology 作者:Hu Wei; Gao-Feng Dong; Jia-Qiu He; Zhao-Feng Wang; Mei Xu; et al 出版日期:2026-09-16 |
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(2025-6-4)