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 Graphene film transistors based on asymmetric gate design combining with chemical doping 基于非对称栅极设计结合化学掺杂的石墨烯薄膜晶体管
相关领域
石墨烯
材料科学
晶体管
光电子学
阈值电压
电流（流体）
兴奋剂
电子线路
纳米技术
电压
电气工程
工程类
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| 其它 |
期刊：Materials Science and Engineering B 作者：Yanmei Sun; Nian He; Dianzhong Wen 出版日期：2022-02-01 |
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