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标题
Substrate Biasing Effect in a High-Voltage Monolithically-Integrated GaN-on-SOI Half Bridge With Partial Recessed-Gate HEMTs
具有部分凹栅HEMTs的高压单片集成GaN-on-SOI半桥中的衬底偏置效应
相关领域
绝缘体上的硅 高电子迁移率晶体管 偏压 基质（水族馆） 击穿电压 光电子学 符号 拓扑（电路） 晶体管 材料科学 物理 电气工程 电压 数学 硅 量子力学 工程类 算术 地质学 海洋学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3266716
DOI
10.1109/ted.2023.3266716 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Da Wang; Li Zheng; Xinhong Cheng; Lingyan Shen; Xiaobo Liu; et al
出版日期：2023-04-26
求助人
舟舟 在 2025-12-03 21:08:09 发布自吉林，悬赏 10 积分
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