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 Influence of double InGaAs/InAs channel on DC and RF performances of InP-based HEMTs 相关领域
跨导
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
频道（广播）
砷化铟镓
振荡（细胞信号）
阈下传导
砷化镓
晶体管
电气工程
化学
工程类
电压
生物化学
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期刊：Journal of Ovonic Research 作者：H. L. Hao; M. Y. Su; Haitao Wu; Hangyue Mei; Ruxian Yao; et al 出版日期：2022-06-01 |
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