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标题
Development and Modelling of Gallium Nitride Based Lateral Schottky Barrier Diodes with Anode Recesses for mmWave and THz Applications
毫米波和太赫兹应用中具有阳极凹槽的氮化镓基横向肖特基势垒二极管的开发和建模
相关领域
肖特基二极管 光电子学 材料科学 肖特基势垒 二极管 等效串联电阻 氮化镓 太赫兹辐射 阳极 电压 电气工程 电极 纳米技术 图层（电子） 化学 工程类 物理化学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/1/2/pdf?version=1672224327
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov doaj.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi14010002 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Moath Alathbah
出版日期：2022-12-20
求助人
小鱼 在 2025-12-06 09:57:24 发布自云南，悬赏 10 积分
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