Demonstration of a 10-kV Class Waffle-Substrate n-Channel IGBT in 4H-SiC

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标题	Demonstration of a 10-kV Class Waffle-Substrate n-Channel IGBT in 4H-SiC 4H-SiC中10kV级华夫格衬底n沟道IGBT的演示相关领域绝缘栅双极晶体管基质（水族馆）阳极符号拓扑（电路）电气工程材料科学数学物理电压工程类量子力学算术电极海洋学地质学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3200922
DOI	10.1109/ted.2022.3200922 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：M. Alam; Noah Opondo; Dallas Morisette; James A. Cooper 出版日期：2022-09-05
求助人	舒适映萱在 2025-12-05 18:15:37 发布自内蒙古，悬赏 10 积分
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