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标题
Design of a 5.8 GHz GaN HEMT Class-F Rectifier Using Voltage Doubler
基于倍压器的5.8 GHz GaN HEMT F类整流器设计
相关领域
电压倍增器 材料科学 整流器（神经网络） 光电子学 高电子迁移率晶体管 电气工程 二极管 击穿电压 电压 能量转换效率 高压 电压基准 工程类 晶体管 计算机科学 跌落电压 机器学习 人工神经网络 循环神经网络 随机神经网络
网址
https://doi.org/10.5515/kjkiees.2023.34.5.354
AI链接 jkiees.orgdoi.org
DOI
10.5515/kjkiees.2023.34.5.354 doi
其它 期刊：The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
作者：Jongjin Park; Wonseob Lim; Youngoo Yang
出版日期：2023-05-01
求助人
一只鱼 在 2025-12-06 15:37:49 发布自福建，悬赏 10 积分
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