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 Selective hydrogenation improves interface properties of high-k dielectrics on 2D semiconductors 选择性氢化改善二维半导体上高k电介质的界面性质
相关领域
单层
半导体
材料科学
二硫化钼
电介质
光电子学
硅
纳米技术
纳米电子学
冶金
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期刊：Nano Research 作者：Yulin Yang; Tong Yang; Tingting Song; Jun Zhou; Jianwei Chai; et al 出版日期：2022-01-05 |
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