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 Achieving highly passivated p-type TOPCon structure with iVoc of 735mV and J0,s of 5–7fA/cm² by tubular PECVD technology 利用管状PECVD技术实现iVoc为735mV、J0，s为5-7fA/cm²的高钝化p型TOPCon结构
相关领域
钝化
材料科学
光电子学
等离子体增强化学气相沉积
硅
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氧化物
电子工程
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电流密度
电压
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氧化硅
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饱和（图论）
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期刊： 作者：Lina Ye; Mingdun Liao; Wei Liu; Yuheng Zeng 出版日期：2025-12-05 |
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