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Busbar design for SiC-based H-bridge PEBB using 1.7 kV, 400 a SiC MOSFETs operating at 100 kHz 相关领域
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期刊: 作者:Niloofar Rashidi Mehrabadi; Igor Cvetkovic; Jun Wang; Rolando Burgos; Dushan Boroyevich 出版日期:2016-09-01 |
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