Degradation Mechanisms of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Induced by High-Energy Electron Irradiation

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标题	Degradation Mechanisms of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Induced by High-Energy Electron Irradiation
网址	https://doi.org/10.1109/ASDIT66826.2025.11290784
DOI	10.1109/ASDIT66826.2025.11290784 doi
其它	期刊：2025 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology (ASDIT) 作者：Xiao Wang; Chong Zhang; Xia Zhu; Feng-Qiu Jiang; Tao Liu; et al 出版日期：2025
求助人	829302yft 在 2026-03-17 21:30:19 发布自上海，悬赏 10 积分
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