| 标题 |
Modeling and growth analysis of heteroepitaxial α-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition 相关领域
材料科学
化学气相沉积
雾
雷登弗罗斯特效应
基质(水族馆)
工作(物理)
沉积(地质)
过程(计算)
化学工程
化学反应
流量(数学)
增长率
纳米技术
薄膜
动力学
化学物理
进程窗口
化学动力学
机械
增长模型
体积流量
分子动力学
混合物理化学气相沉积
燃烧化学气相沉积
热力学
晶体生长
过程建模
外延
有限元法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Runchen Wang; Qi Li; Na Lin; Zhitai Jia; Yanbin Li; et al 出版日期:2026-04-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)