Electrostatic Discharge Characteristics of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with Si-Doped Graded Superlattice

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标题	[高分] Electrostatic Discharge Characteristics of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with Si-Doped Graded Superlattice
网址	https://www.ingentaconnect.com/content/asp/jnn/2015/00000015...
DOI	10.1166/jnn.2015.11189 doi
其它	期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology 作者：Kwanjae Lee; Cheul-Ro Lee; Jin Soo Kim; Jin Hong Lee; Kee Young Lim; Jae-Young Leem 出版日期：2015-09-02
求助人	miracle 在 2026-05-19 22:25:56 发布自江苏，悬赏 150 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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