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A 15.5mΩcm>sup<2>/sup<-680V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing
15.5mΩcm>sup<2>/sup<-680V超结MOSFET通过横向变窄节距降低导通电阻
相关领域
MOSFET
材料科学
光电子学
负载电阻
功率MOSFET
物理
电气工程
电压
晶体管
工程类
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其它 |
期刊:2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's 作者:W. Saito; I. Omura; S. Aida; S. Koduki; M. Izumisawa; et al 出版日期:2006-08-09 |
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