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 Artificial Synapse Based on a δ-FAPbI3/Atomic-Layer-Deposited SnO2 Bilayer Memristor 基于δ-FAPbI3/原子层沉积SnO2双层忆阻器的人工突触
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期刊：Nano Letters 作者：Sanguk Lee; So‐Yeon Kim; Joo‐Hong Lee; Ji Hyun Baek; Jin‐Wook Lee; et al 出版日期：2024-04-15 |
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