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 Stress and Strain Evolution in Stacked Gate-All-Around Transistors for Sub-7nm Node Studied By Advanced Transmission Electron Microscopy Techniques and Finite Element Method Modelling 用先进的透射电子显微镜技术和有限元法模拟研究亚7nm节点堆叠栅极全向晶体管的应力和应变演化
相关领域
材料科学
晶体管
应变工程
节点（物理）
有限元法
光电子学
压力（语言学）
纳米线
纳米技术
硅
电气工程
电压
工程类
结构工程
语言学
哲学
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期刊：Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) 作者：S. Reboh; R. Coquand; N. Loubet; Nicolas Bernier; Robin Chao; et al 出版日期：2018-04-13 |
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