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 Advanced 2T0C DRAM Technologies for Processing-in-Memory—Part I: Vertical Transistor on Gate (VTG) DRAM Cell Structure 用于存储器中处理的先进2T0C DRAM技术-第一部分：栅极上垂直晶体管(VTG)DRAM单元结构
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：S. Kong; Wonbo Shim 出版日期：2024-01-01 |
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