Advanced 2T0C DRAM Technologies for Processing-in-Memory—Part I: Vertical Transistor on Gate (VTG) DRAM Cell Structure

德拉姆 动态随机存取存储器 晶体管 电子工程 随机存取存储器 光电子学 材料科学 计算机科学 电气工程 工程类 计算机硬件 半导体存储器 电压
作者
Siyuan Kong,Wonbo Shim
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (11): 6633-6638 被引量:1
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3447612
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