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 InGaAs/GaAsSb type-II quantum well photodetectors with quantum wells barrier layer for reducing dark current 用于降低暗电流的具有量子阱势垒层的InGaAs/GaAsSb II型量子阱光电探测器
相关领域
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期刊： 作者：T. Tanaka; Shin-ichiro Gozu; Masahiko Sano; Megumi Kanaori; Taizo Shibuya; et al 出版日期：2024-04-19 |
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