| 标题 |
 Electronic degeneracy conduction in highly Si-doped Al0.6Ga0.4N layers based on the carrier compensation effect 基于载流子补偿效应的高Si掺杂Al0.6Ga 0.4 N层电子简并传导
相关领域
兴奋剂
材料科学
接受者
电子
电子空穴
杂质
简并能级
有效质量（弹簧-质量系统）
凝聚态物理
分析化学（期刊）
光电子学
化学
物理
有机化学
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Keita Kataoka; Tetsuo Narita; Kengo Nagata; Hiroaki Makino; Yoshiki Saito 出版日期：2020-12-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
6666
囧囧
cdercder
Criminology34
Nole
GingerF
渡人舟
馨馨的科科
无奈的梦凡
核桃
无极微光
Zsq
AGLONG
糊涂小子0629
初景
东方元语
千珏
奔跑
Freya1528
温暖的蜗牛
皖公网安备34019202002308
