Near-ideal subthreshold swing MoS 2 back-gate transistors with an optimized ultrathin HfO 2 dielectric layer

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标题	Near-ideal subthreshold swing MoS 2 back-gate transistors with an optimized ultrathin HfO 2 dielectric layer
网址	http://stacks.iop.org/0957-4484/30/i=9/a=095202?key=crossref...
DOI	10.1088/1361-6528/aaf956 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Yu Pan; Kunpeng Jia; Kailiang Huang; Zhenhua Wu; Guobin Bai; et al 出版日期：2018-12-18
求助人	戚金凤在 2026-09-07 16:19:43 发布自北京，悬赏 10 积分
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