Reliability Improvement and Effective Switching Layer Model of Thin‐Film MoS2 Memristors

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标题	Reliability Improvement and Effective Switching Layer Model of Thin‐Film MoS2 Memristors
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202214250
DOI	10.1002/adfm.202214250 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yifu Huang; Yuqian Gu; Sivasakthya Mohan; Andrei Dolocan; Nicholas D. Ignacio; et al 出版日期：2023-04-13
求助人	黑皮金刚在 2026-07-20 14:39:35 发布自浙江，悬赏 10 积分
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