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 First Demonstration of 3D Stacked Fets at Gate Pitch of 42 nm Featuring Triple Stacked Nanosheet Channels for Advanced Logic Applications 相关领域
材料科学
光电子学
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场效应晶体管
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纳米电子学
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期刊：2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Dong-Hwee Hwang; Jaeho Jeon; Gwangsik Kim; S. Kim; Jiwoo Min; et al 出版日期：2026-06-14 |
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