Enhanced Passivation of Boron‐Doped Polysilicon Passivated Contacts With a Single‐Sided J 0 of 2.8 fA/cm 2 by Dual‐Layer Silicon Oxide Structure

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标题	Enhanced Passivation of Boron‐Doped Polysilicon Passivated Contacts With a Single‐Sided J 0 of 2.8 fA/cm 2 by Dual‐Layer Silicon Oxide Structure
网址	https://doi.org/10.1002/smll.73603
DOI	10.1002/smll.73603 doi
其它	期刊：Small 作者：Lizhen Shui; Lina Ye; Hailong Zhang; Shengjie Guan; Zhenhai Yang; et al 出版日期：2026-04-29
求助人	平常的行云在 2026-07-21 16:04:57 发布自浙江，悬赏 10 积分
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