200V Super Junction MOSFET Fabricated by High Aspect Ratio Trench Filling

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标题	200V Super Junction MOSFET Fabricated by High Aspect Ratio Trench Filling
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ispsd.2006.1666072
DOI	10.1109/ispsd.2006.1666072 doi
其它	期刊：2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's 作者：S. Yamauchi; T. Shibata; S. Nogami; T. Yamaoka; Y. Hattori; et al 出版日期：暂无
求助人	bryan.yuan 在 2026-08-12 16:32:27 发布自上海，悬赏 10 积分
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